III. フォノンおよび量子干渉効果利用の赤外−THz域光デバイス創製
- 半導体表面金属-半導体ストライプ構造を用いた電気双極子吸収・放射
半導体表面に形成したマイクロ構造により縦光学フォノン共鳴のTHz輻射を初めて観測しました。これを発展させて新たなTHzデバイスの創製を目指します。 - フォノン系量子干渉の基礎物性と応用：フォノン系電磁誘起透明化など
新たなTHzデバイス創製やTHz〜中赤外域光通信のため、フォノン系と電子系を組み合わせた新しい量子干渉効果の実現を目指します。これにより光の吸収スペクトルを量子論的に制御します。 - 赤外分光基板計測技術
当研究室では数THz程度から紫外まで連続的に分光スペクトルをとることができます。これを用いて様々な物理の解明を行い、デバイス開拓に役立てます。
GaAs-Au表面構造からの8.5THz発光
[Y. Ishitani et al., Appl. Phys. Lett. 113, 192105 (2018)]
[Y. Ishitani et al., Appl. Phys. Lett. 113, 192105 (2018)]
フーリエ変換赤外分光装置
