業績|量子デバイス物性研究室
論文: 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009
学会: 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014

学術論文

2022

2021

  • 石谷 善博, 中山 朋哉, 伊藤 航太郎, 馬 ベイ, 飯田 大輔, Mohammed A. Najmi, 大川 和宏,

    "二波長ラマン散乱分光を用いたInGaN/GaNヘテロ構造におけるフォノン輸送解析"

    ,
    日本結晶成長学会誌 48 (4), 48-4-04 (2021)
  • Koichi Nakanishi, Ayuki Arikawa, Yasuhito Saito, Daisuke Iizasa, Satoshi Iba, Yuzo Ohno, Nobuhide Yokota, Makoto Kohda, Yoshihiro Ishitani, and Ken Morita

    "Room-temperature spin-orbit magnetic fields in slightly misoriented (110) InGaAs/InAlAs multiple quantum wells"

    ,
    Applied Physics Letters 119, 032405 (Jul. 2021)

2020

2019

  • Kohei Kawaguchi, Toshiki Fukasawa, Ichirota Takazawa, Hiroki Shida, Yasuhito Saito, Daisuke Iizasa, Takahito Saito, Takahiro Kitada, Yoshihiro Ishitani, Makoto Kohda, and Ken Morita,

    "Transient diffusive spin dynamics in intrinsic InGaAs/InAlAs multiple quantum wells"

    ,
    Applied Physics Letters 115, 172406 (Oct. 2019)
  • 北田 貴弘, 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健,

    "高指数面上の副格子交換エピタキシーと面型非線形光デバイス"

    ,
    材料 68, 739-744 (Oct. 2019)
  • Yasuo Minami, Kotaro Ogusu, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Ken Morita and Takahiro Kitada,

    "Time-resolved measurements of two-color laser light emitted from GaAs/AlGaAs-coupled multilayer cavity"

    ,
    Japanese Journal of Applied Physics 58, SJJC03 (Aug. 2019)
  • K. Morita, A. Okumura, H. Takaiwa, I. Takazawa, T. Oda, T. Kitada, M. Kohda, and Y. Ishitani,

    "Temperature and laser energy dependence of the electron g-factor in intrinsic InGaAs/InAlAs multiple quantum wells"

    ,
    Applied Physics Letters 115, 012404 (Jul. 2019)
  • 北田 貴弘, 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健,

    "半導体結合共振器による面発光テラヘルツ素子"

    ,
    光学 48, 274-280 (Jul. 2019)
  • Yoshihiro Ishitani, Kensuke Oki, and Hideto Miyake,

    "Statistics of excitonic energy states based on phononic-excitonic-radiative model"

    ,
    Japanese Journal of Applied Physics 58, SCCB34 (Jun. 2019)
  • Kensuke Oki and Yoshihiro Ishitani,

    "Influence of LO and LA phonon processes on thermal-nonequilibrium excitation and deexcitation dynamics of excitons in GaN, AlN, and ZnO"

    ,
    Journal of Applied Physics 125, 205705 (May 2019)

2018

  • Ken Morita,

    "Theorems on Two Tetrahedrons Intersecting a Sphere"

    ,
    Journal for Geometry and Graphics 22, No. 2, 219-227 (2018)
  • Yoshihiro Ishitani, Tomoyuki Aoki, Hidenori Funabashi, and Ken Morita,

    "Selective thermal radiation at longitudinal optical phonon energy under geometric condition of metal-semiconductor mesa stripe structures"

    ,
    Applied Physics Letters 113, 192105 (Nov. 2018)
  • D. Iizasa, D. Sato, K. Morita, J. Nitta, and M. Kohda,

    "Robustness of a persistent spin helix against a cubic Dresselhaus field in (001) and (110) oriented two-dimensional electron gases"

    ,
    Physical Review B 98, 165112 (Oct. 2018)
  • Ken Morita, Kento Shiozawa, Koji Suizu and Yoshihiro Ishitani,

    "Terahertz pulse generation by the tilted pulse front technique using an M-shaped optical system"

    ,
    Japanese Journal of Applied Physics 57, 050304 (May 2018)
  • Hironori Sakamoto, Eito Takeuchi, Kouki Yoshida, Ken Morita, Bei Ma, and Yoshihiro Ishitani,

    "Electric-dipole absorption resonating with longitudinal optical phonon-plasmon system and its effect on dispersion relations of interface phonon polariton modes in metal/semiconductor-stripe structures"

    ,
    Journal of Physics D: Applied Physics 51, 015105 (Jan. 2018)

2017

  • Kensuke Oki, Bei Ma, and Yoshihiro Ishitani,

    "Population decay time and distribution of exciton states analyzed by rate equations based on theoretical phononic and electron-collisional rate coefficients"

    ,
    Physical Review B 96, 205204 (Nov. 2017)

2016

2015

2014

2013

  • K. Hatta and Y. Ishitani,

    "Phonon polariton and infrared absorption effects in III-nitride thin films"

    ,
    International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz, 6665818 (2013)
  • Takahiro Kitada, Chiho Harayama, Ken Morita, and Toshiro Isu,

    "Two-color lasing in a coupled multilayer cavity with InAs quantum dots by optical pumping"

    ,
    Physica Status Solidi C 10, 1434 (Nov. 2013)
  • Takahiro Kitada, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, and Toshiro Isu,

    "Wavelength conversion via four-wave mixing in a triple-coupled multilayer cavity"

    ,
    Applied Physics Letters 103, 101109 (Sep. 2013)
  • Takahiro Kitada, Hyuga Ueyama, Ken Morita, Toshiro Isu,

    "Ultrafast photocarrier relaxation processes in Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers"

    ,
    Journal of Crystal Growth 378, 485 (Sep. 2013)
  • Takahiro Kitada, Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, and Toshiro Isu,

    "Terahertz emission from a GaAs/AlAs coupled multilayer cavity with nonlinear optical susceptibility inversion"

    ,
    Applied Physics Letters 102, 251118 (Jun. 2013)
  • Takahiro Kitada, Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, and Toshiro Isu,

    "Terahertz Waveforms Generated by Second-Order Nonlinear Polarization in GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavities Using Ultrashort Laser Pulses"

    ,
    IEEE Photonics Journal 5, 6500308 (Jun. 2013)
  • D. Imai, Y. Ishitani, M. Fujiwara, X. Q. Wang, K. Kusakabe, and A. Yoshikawa,

    "Analysis of Nonradiative Carrier Recombination Processes in InN Films by Mid-infrared Spectroscopy"

    ,
    Journal of Electronic Materials 42, 875 (May 2013)
  • Yukinori Yasunaga, Hyuga Ueyama, Ken Morita, Takahiro Kitada, and Toshiro Isu,

    "Strongly Enhanced Four-Wave Mixing Signal from GaAs/AlAs Cavity with InAs Quantnm Dots Embedded in Strain-Relaxed Barriers"

    ,
    Japanese Journal of Applied Physics 52, 04CG09 (Apr. 2013)

2012

2011

2010

  • N. Ma, X. Q. Wang, F. J. Xu, N. Tang, B. Shen, Y. Ishitani, and A. Yoshikawa,

    "Anomalous Hall mobility kink observed in Mg-doped InN: Demonstration of p-type conduction"

    ,
    Applied Physics Letters 97, 222114 (Nov. 2010)
  • Akihiko Yoshikawa, Xinqiang Wang, Yoshihiro Ishitani, and Akira Uedono,

    "Recent advances and challenges for successful p-type control of InN films with Mg acceptor doping by molecular beam epitaxy"

    ,
    Physica Status Solidi A 207, 1011 (May 2010)

2009


学会・研究会発表

2022

  • 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)

    , ウインクあいち(愛知県産業労働センター), 2022年11月24-25日
    • "窒化物半導体の励起子ダイナミクスのシミュレーションと実験的考察 〜 励起子発光に与えるフォノン場の影響と温度依存性 〜"


      地ア匡哉、大木健輔、石谷善博
  • The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2022)

    , COZZI Blu, Taoyuan, Taiwan, November 13-18, 2022
    • Invited

      "Imaging of phonon transport in GaInN/GaN-heterointerfaces by Raman scattering measurements using a double-laser system"


      Yoshihiro Ishitani, Tomoya Nakayama, Tatsuya Asaji, Bei Ma, Daisuke Iida, Mohammed A. Najmi, and Kazuhiro Ohkawa
  • International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2022)

    , Berlin, Germany, October 9-14, 2022
    • "Mid-infrared thermal emission from GaN/Au and GaN/n++-GaN micro-grating structures"


      Bojin Lin, Hnin Lai Lai Aye, Haruki Orito, Bei Ma, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka, Hideto Miyake, Yoshihiro Ishitani
    • "Analysis of phonon transport in InGaN films and through InGaN/GaN heterointerfaces by Raman imaging using a double-laser system"


      Tomoya Nakayama, Tatsuya Asaji, Bei Ma, Daisuke Iida, Mohammed A. Najmi, Kazuhiro Ohkawa, Yoshihiro Ishitani
    • "Impact of crystal quality on the dependence of exciton-radiative lifetime on temperature analyzed by phononic-excitonic-radiative model"


      Masaya Chizaki, Kensuke Oki, Yoshihiro Ishitani
  • 第83回応用物理学会秋季学術講演会

    , 東北大学 川内北キャンパス + オンライン, 2022年9月20-23日

    The 83rd Japan Society of Applied Physics (JSAP) Autumn Meeting

    , Kawauchi-Kita Campus, Tohoku University & Online, September 20-23, 2022
    • "GaN/Au及びSI-GaN/n++-GaNマイクロストライプ構造による中赤外熱輻射"


      林 伯金,Hnin Lai Lai Aye,折戸 春樹,馬 ベイ,上野 耕,藤岡 洋,三宅 秀人,石谷 善博

      "Mid-infrared thermal radiation from GaN/Au and SI-GaN/n++-GaN micro-stripe structures"


      Bojin Lin, Hnin Lai Lai Aye, Haruki Orito, Bei Ma, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka, Hideto Miyake, Yoshihiro Ishitani
    • "GaN/AuとSapphire/Auマイクロストライプ構造の赤外発光の幅依存性"


      林 伯金,Hnin Lai Lai Aye, 折戸 春樹,三宅 秀人,石谷 善博

      "Width dependence of Infrared emission spectrums from GaN/Au and sapphire/Au micro-stripe structures"


      Bojin Lin, Hnin Lai Lai Aye, Haruki Orito, Hideto Miyake, Yoshihiro Ishitani
    • "Characterization of LO Radiation Intensity by Metal- GaAs Surface Micro-Structural Configuration"


      Hnin Lai Lai Aye, Bojin Lin, Haruki Orito, Ikuya Suzuki, Bei Ma, and Yoshihiro Ishitani
    • "Effect of Phonon Polariton on LO Emission Spectrum of Metal- GaAs Surface Micro-Structural Configuration"


      Hnin Lai Lai Aye, Bojin Lin, Haruki Orito, Ikuya Suzuki, Bei Ma, and Yoshihiro Ishitani
    • "InGaN薄膜における界面フォノン輸送に対するIn組成依存性の解析"


      浅地竜也,中山朋哉,飯田大輔,Mohammed A. Najimi,大川和宏,石谷善博

      "Analysis of Indium composition dependence on interfacial phonon transport in InGaN films"


      Tatsuya Asaji, Tomoya Nakayama, Daisuke Iida, Mohammed A. Najimi, Kazuhiro Ohkawa, Yoshihiro Ishitani
  • 第6回フォノンエンジニアリング研究会

    , オンライン, 2022年7月22-23日
    • "GaN/n++-GaNマイクログレーティング構造からの中赤外熱輻射"


      "Mid-infrared thermal emission from GaN/n++-GaN micro-grating structures"


      Bojin Lin
    • "Dominating factors of LO phonon resonant radiation from metal-GaAs micro structures"


      Hnin Lai Lai Aye
    • "InGaN薄膜における界面熱輸送のIn組成依存性の解析"


      "Analysis of Indium composition dependence on interfacial thermal transport in InGaN films"


      浅地 竜也
  • Compound Semiconductor Week 2022

    , Ann Arbor, MI, and Virtual, June 1-3, 2022
    • "Thermal radiation intensities in mid-infrared region from semiconductor-metal micro-grating structure"


      Bojin Lin, Yuto Imae, Hnin Lai Lai Aye, Kotaro Hayashi, Haruki Orito, Bei Ma, Shigeyuki Kuboya, Hideto Miyake, and Yoshihiro Ishitani
    • "Structure Dependent Characteristics of Infrared Radiation from Metal- Semiconductor Surface Micro-Structures"


      Hnin Lai Lai Aye, Kotaro Hayashi, Haruki Orito, Bojin Lin, Ikuya Suzuki, Bei Ma, and Yoshihiro Ishitani
  • 第69回応用物理学会春季学術講演会

    , 青山学院大学 相模原キャンパス + オンライン, 2022年3月22-26日

    The 69th Japan Society of Applied Physics (JSAP) Spring Meeting

    , Sagamihara Campus, Aoyama Gakuin University & Online, March 22-26, 2022
    • "間接遷移半導体GaP表面マイクロストライプ構造における輻射スペクトルの構造依存性"


      林 鴻太朗、折戸 春樹、鈴木 郁也、林 伯金、今江 勇人、Hnin Lai Lai Aye、馬 ベイ、石谷 善博

      "Structure Dependence of Radiation Spectra on Surface Microstripe Structure of Indirect Transition Semiconductor GaP"


      Koutaro Hayashi, Haruki Orito, Ikuya Suzuki, Bojin Lin, Yuto Imae, Hnin Lai Lai Aye, Bei Ma, Yoshihiro Ishitani
    • "ワイドギャップ半導体/金属ストライプ構造からの中赤外輻射"


      林 伯金、今江 勇人、林 鴻太朗、Hnin Lai Lai Aye、馬 ベイ、窪谷 茂幸、三宅 秀人、石谷 善博

      "Mid-infrared radiation from wide-gap semiconductor/metal stripe structure"


      Bojin Lin, Yuto Imae, Koutaro Hayashi, Hnin Lai Lai Aye, Bei Ma, Shigeyuki Kuboya, Hideto Miyake, Yoshihiro Ishitani
    • "極低温から室温までの励起子発光ダイナミクスのフォノン・励起子・輻射モデルによる解析"


      地ア 匡哉、大木 健輔、石谷 善博

      "Exciton emission dynamics from cryogenic to room temperature analyzed by phononic-excitonic-radiative model"


      Masaya Chizaki, Kensuke Oki, Yoshihiro Ishitani
    • "In0.05Ga0.95N/GaNヘテロ構造におけるフォノン輸送過程の2波長レーザ同時照射法による解析"


      中山 朋哉、伊藤 航太郎、馬 ベイ、飯田 大輔、大川 和宏、石谷 善博、浅地 竜也、Mohammed Najimi

      "Analysis of phonon transport processes in In0.05Ga0.95N/GaN heterostructures by simultaneous two-wavelength laser irradiation"


      Tomoya Nakayama, Kotaro Ito, Bei Ma, Daisuke Iida, Kazuhiro Ohkawa, Yoshihiro Ishitani, Tatsuya Asaji, Mohammed Najimi

2021

  • European Materials Research Society (E-MRS) 2021 Fall Meeting

    , Online, September 20-23, 2021
    • "Thermal radiation at longitudinal optical phonon or phonon polariton energy from GaN-metal surface micro structures"


      Bojin Lin, Yuto Imae, Kotaro Hayashi, Hnin Lai Lai Aye, Hideto Miyake, Yoshihiro Ishitani (oral)
    • "Origin of temperature dependence of exciton radiative lifetime studied by phononic-excitonic-radiative model"


      Masaya Chizaki, Kensuke Oki, Yoshihiro Ishitani (oral)
    • "Analysis of phonon transport through heterointerfaces of InGaN/GaN by Raman imaging by a double laser system"


      Tomoya Nakayama, Kotaro Ito, Bei Ma, Daisuke Iida, Kazuhiro Ohkawa, Yoshihiro Ishitani (poster)
  • 第82回応用物理学会秋季学術講演会

    , オンライン開催, 2021年9月10-13,21-23日

    The 82nd Japan Society of Applied Physics (JSAP) Autumn Meeting

    , Online, September 10-13,21-23, 2021
    • "Effect of LO phonon scattering on the selective IR emission from Au-GaAs stripe structures"


      Hnin Lai Lai Aye、Kotaro Hayashi、Haruki Orito、Bei Ma、Ken Morita、Yoshihiro Ishitani
    • "III-V族半導体表面金属ストライプ構造からの中赤外輻射スペクトルの材料依存性"


      折戸 春樹、林 鴻太郎、Hnin Lai Lai Aye、馬 ベイ、石谷 善博

      "Dependence of mid-infrared radiation spectrum from surface metal-stripe microstructures using III-V semiconductors on material species"


      Haruki Orito, Koutarou Hayashi, Hnin Lai Lai Aye, Bei Ma, Yoshihiro Ishitani
    • "励起子輻射速度の温度依存性の起源のフォノン・励起子・輻射モデルによる解析"


      地崎 匡哉、大木 健輔、石谷 善博

      "Origin of temperature dependence of exciton radiative lifetime analyzed by phononic-excitonic-radiative model"


      Masaya Chizaki, Kensuke Oki, Yoshihiro Ishitani
    • "GaN-金属メサマイクロストライプ構造からの縦光学フォノンまたはフォノンポラリトンエネルギーでの熱放射"


      林 伯金、今江 勇人、林 鴻太郎、Hnin Lai Lai Aye、馬 ベイ、三宅 秀人、石谷 善博

      "Thermal radiation with longitudinal optical phonon or phonon polariton energies from GaN-metal mesa micro-striped structures"


      Bojin Lin, Yuto Imae, Kotaro Hayashi, Hnin Lai Lai Aye, Bei Ma, Hideto Miyake, Yoshihiro Ishitani
  • 第5回フォノンエンジニアリング研究会

    , オンライン開催, 2021年7月2-3日
    • 招待講演

      "2レーザの同時照射顕微ラマン分光によるフォノン輸送評価"


      "Phonon transport analysis by simultaneous irradiation of two laser beams in microscopic Raman spectroscopy"


      石谷 善博
    • "Structural dependence of LO phonon radiation using metal/GaAs stripe structures"


      Hnin Lai Lai Aye
    • "励起子発光効率の決定機構に対するフォノン相互作用の効果"


      "Effects of exciton-phonon interaction on radiative lifetime of exciton"


      地ア 匡哉
    • "GaN-Ti表面のマイクロメサ構造における熱的フォノンーポラリトン発光"


      "Thermal emission of Phonon-Polariton in surface micro-mesa structures of GaN-Ti"


      Bojin Lin
  • 第1回時空間光工学研究会

    , オンライン開催, 2021年6月28日
    • 招待講演

      "時空間に構造をもつ光を用いた量子状態制御"


      森田 健
  • 光・量子ビーム科学合同シンポジウム2021(OPTO2021)

    , 大阪大学レーザー科学研究所&オンラインハイブリッド開催, 2021年6月22日
    • "高強度テラヘルツパルスを利用した高速スピン制御"


      "Spin manipulation using high power THz pulse"


      森田 健
  • 第68回応用物理学会春季学術講演会

    , オンライン開催, 2021年3月16-19日

    The 68th Japan Society of Applied Physics (JSAP) Spring Meeting

    , Online virtual meeting, March 16-19, 2021
    • "(110)面InGaAs量子井戸中の面直内部有効磁場の直接観測"


      中西 晃一、齋藤 康人、飯笹 大介、石谷 善博、横田 信英、好田 誠、森田 健

      "Direct observation of the effective magnetic field in a (110)InGaAs quantum wells"


      Koichi Nakanishi, Yasuhito Saito, Daisuke Iizasa, Yoshihiro Ishitani, Nobuhide Yokota, Makoto Kohda, Ken Morita
    • "GPUを用いた2ビームテラヘルツパルス発生高速シミュレーション"


      立松 弘貴、矢作 弘樹、角江 崇、石谷 善博、森田 健

      "High-speed simulation of 2-beam teraheltz pulse generation using GPU"


      Koki Tatematsu, Hiroki Yahagi, Takashi Kakue, Yoshihiro Ishitani, Ken Morita
    • "高SiドープGaN薄膜の断面ラマン分光測定"


      馬 ベイ、湯 明川、森田 健、上野 耕平、小林 篤、藤岡 洋、石谷 善博

      "Raman spectroscopy of highly Si-doped GaN film at cross-section"


      Bei Ma, Mingchuan Tang, Ken Morita, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka, Yoshihiro Ishitani
    • "フォノン・励起子・輻射モデルによる励起子発光速度の決定機構の解析"


      地崎 匡哉、大木 健輔、石谷 善博

      "Analysis of mechanism of exciton emission rate by phononic-excitonic-radiative model"


      Masaya Chizaki, Kensuke Oki, Yoshihiro Ishitani
    • "GaInN薄膜における膜内フォノン輸送過程の2波長同時照射ラマン分光法による解析"


      中山 朋哉、岡本 駿吾、伊藤 航太郎、森田 健、石谷 善博、馬 ベイ、飯田 大輔、大川 和宏

      "Analysis of phonon transport process in GaInN film by two-wavelength simultaneous irradiation Raman spectroscopy"


      Tomoya Nakayama, Shungo Okamoto, Kotaro Ito, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani, Bei Ma, Daisuke Iida, Kazuhiro Ohkawa
    • "Structure dependence of LO phonon-resonant radiation from undoped GaAs-metal structure micro-stripe structures"


      Hnin Lai Lai Aye, Takuro Yonemoto, Kotaro Hayashi, Kouta Sekigawa, Haruki Orito, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani
    • "間接遷移半導体GaP表面マイクロメサストライプ構造における中赤外吸収・輻射スペクトル解析"


      林 鴻太朗、関川 康太、折戸 春樹、相原 望、森田 健、馬 ベイ、石谷 善博

      "Mid-infrared absorption and radiation spectrum analysis from surface micro mesa structures on indirect transition type semiconductor GaP"


      Koutaro Hayashi, Kouta Sekigawa, Haruki Orito, Nozomi Aihara, Ken Morita, Bei Ma, Yoshihiro Ishitani
  • SPIE Photonics West

    , Online, March 6-11, 2021
    • Invited

      "Analysis of LO phonon properties in III-nitrides: interaction with carriers and microscopic analysis"


      Y. Ishitani, K. Oki, M. Chizaki, S. Okamoto, T. Nakayama, B. Lin, B. Ma, K. Morita, H. Miyake, D. Iida, and K. Ohkawa
  • The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology

    , Online, March 1-3, 2021
    • "Requirement of phonon control in electronic and photonic devices and mode-separated phonon transport analysis in heterostructures using microscopic Raman scattering measurement using double laser"


      Y. Ishitani, S. Okamoto, M. Chizaki, K. Oki, B. Ma, B.-J. Lin, K. Morita, D. Iida, and K. Ohkawa
    • "Mechanism of Exciton Radiative Lifetime Reduction by Background Electrons Analyzed by Phononic-Excitonic-Radiative Model"


      M. Chizaki, K. Oki, and Y. Ishitani
    • "Characterization of heavily sillion doped GaN using infrared reflectance and Raman spectroscopy"


      Bei Ma, Mingchuan Tang, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Ken Morita, Hiroshi Fujioka, and Yoshihiro Ishitani
  • Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity

    , February 1-3 2021
    • "Longitudinal Optical Phonon Resonant THz - Mid Infrared Radiation from Surface Metal-Semiconductor Microstructures"


      Yoshihiro Ishitani, Bei Ma, Kensuke Oki, Ken Morita
    • "Raman scattering of Si-doped GaN film at cross-section"


      Bei Ma, Mingchuan Tang, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Ken Morita, Hiroshi Fujioka, and Yoshihiro Ishitani

2020

  • 第31回光物性研究会

    , オンライン開催, 2020年12月11-12日
    • "(110)面InGaAs/InAlAs量子井戸中の電子スピン時空間ダイナミクス"


      中西晃一、齋藤康人、横田信英、石谷善博、森田 健
    • "InGaAs/InAlAs多重量子井戸における可視光レーザーを用いたスピン軌道相互作用の変調"


      有川歩暉、高岩 悠、川口晃平、齋藤康人、横田信英、石谷善博、森田 健
    • "高強度テラヘルツパルスによる電子スピン制御"


      志田博貴、高澤一朗太、石谷善博、中嶋 誠、森田 健
  • 第4回フォノンエンジニアリング研究会

    , オンライン開催, 2020年12月11-12日
    • "金属-混晶半導体表面マイクロ構造からの2LOモード共鳴中赤外輻射"


      "Mid-IR radiation resonating with two LO modes from surface microstructures of metal-alloy semiconductors"


      相原 望
    • 優秀ポスター賞

      "間接遷移型半導体表面のマイクロ構造からのLOフォノン共鳴中赤外輻射"


      "LO phonon resonant mid-IR emission from surface-metal structures on indirect electronic transition type semiconductors"


      林 鴻太朗
    • 優秀ポスター賞

      "2波長同時照射ラマン分光によるGaInN/GaNヘテロ界面におけるフォノン輸送評価"


      "Analysis of phonon transport at GaInN/GaN heterointerfaces by Raman spectroscopy using simultaneous irradiation of two lasers"


      岡本 駿吾
  • 日本磁気学会第229回研究会「テラヘルツ領域におけるスピントロニクス研究の現状と展望」

    , オンライン開催, 2020年11月11日
    • 招待講演

      "半導体における電子スピン時空間ダイナミクス計測"


      森田 健
  • 45th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2020)

    , Virtual event hosted from Buffalo, NY, USA, November 8-13, 2020
    • "Longitudinal Optical Phonon Resonant THz - Mid Infrared Radiation From Surface Metal-Semiconductor Microstructures"


      Kotaro Hayashi, Daichi Tanaka, Keisuke Ebisawa, Nozomi Aihara, Takuro Yonemoto, Hnin Lai Lai Aye, Bojin Lin, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani
  • ASME InterPACK 2020

    , Virtual Conference, Online, October 27-29, 2020
    • Invited

      "Local heat energy transport analyses in GaInN/GaN heterostructure by microscopic Raman imaging exploiting simultaneous irradiation of two laser beams"


      Shungo Okamoto, Naomichi Saito, Kotaro Ito, Bei Ma, Ken Morita, Daisuke Iida, Kazuhiro Ohkawa, Yoshihiro Ishitani
      (Proceedings paper, IPACK2020-2570, V001T06A002, 査読有)
  • 第81回応用物理学会秋季学術講演会

    , オンライン開催, 2020年9月8-11日

    The 81st Japan Society of Applied Physics (JSAP) Autumn Meeting

    , Online Virtual Meeting, September 8-11, 2020
    • "フォノン・励起子・輻射モデルによる励起子輻射寿命の制御の提案"


      地崎 匡哉、大木 健輔、石谷 善博

      "Control of radiative exciton lifetime proposed by phononic-excitonic-radiative models"


      Masaya Chizaki, Kensuke Oki, Yoshihiro Ishitani
    • "通信波長帯における時空間分解スピン光学測定系の構築"


      齋藤 康人、有川 歩暉、川口 晃平、石谷 善博、森田 健

      "Time- and spatial- resolved spin dynamics measurement in optical communication band"


      Yasuhito Saito, Ayuki Arikawa, Kohei Kawaguchi, Yoshihiro Ishitani, Ken Morita
    • 招待講演

      "フォノン輸送のミクロ評価と発光効率への影響"


      石谷 善博

      "Microscopic analysis of phonon transport and its effect on the photo emission efficiency"


      Yoshihiro Ishitani
    • "高強度テラヘルツパルスによる電子スピン制御"


      志田 博貴、高澤 一朗太、石谷 善博、中嶋 誠、森田 健

      "Electron spin manipulation by high-intensity terahertz pulse"


      Hiroki Shida, Ichirota Takazawa, Yoshihiro Ishitani, Makoto Nakajima, Ken Morita
    • "n型間接遷移半導体GaP表面マイクロストライプ構造における中赤外吸収・輻射スペクトル解析"


      林 鴻太朗、相原 望、森田 健、馬 ベイ、石谷 善博

      "Mid-infrared absorption and radiation spectrum analysis from surface microstructureson n-type indirect transition type semiconductor GaP"


      Koutaro Hayashi, Nozomi Aihara, Ken Morita, Bei Ma, Yoshihiro Ishitani
  • The 9th Advanced Lasers and Photon Sources (ALPS2020)

    , Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan, April 20-23, 2020
    • "GPU based FDTD simulation of THz pulse generation using obliquely crossed optical pulses"


      Ken Morita, Hiroki Yahagi, Yuta Osumi, Takashi Kakue, Yoshihiro Ishitani
  • 第67回応用物理学会春季学術講演会

    , 上智大学 四谷キャンパス, 2020年3月12-15日 (開催中止、予稿集で発表成立)

    The 67th Japan Society of Applied Physics (JSAP) Spring Meeting

    , Yotsuya Campus, Sophia University, March 12-15, 2020
    • "輻射性励起子減衰寿命の温度依存性への非輻射再結合の影響"


      地崎 匡哉、大木 健輔、馬 ベイ、森田 健、石谷 善博

      "Effect of nonradiative recombination on radiative decay time of exciton population"


      Masaya Chizaki, Kensuke Oki, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani
    • "n型間接遷移半導体GaP表面マイクロストライプ構造による中赤外輻射"


      林 鴻太朗、田中 大智、海老澤 啓介、相原 望、米本 拓郎、Hnin Lai Lai Aye、森田 健、馬 ベイ、石谷 善博

      "Mid-infrared radiation from surface microstructures on n-type indirect transition type semiconductor GaP"


      Koutaro Hayashi, Daichi Tanaka, Keisuke Ebisawa, Nozomi Aihara, Takuro Yonemoto, Hnin Lai Lai Aye, Ken Morita, Bei Ma, Yoshihiro Ishitani
    • "GPUを用いたFDTD法によるテラヘルツパルス発生シミュレーションにおける計算時間の短縮化"


      矢作 弘樹、大隅 勇汰、角江 崇、石谷 善博、森田 健

      "Calculation time reduction of terahertz pulse generation by FDTD method using GPU"


      Hiroki Yahagi, Yuta Osumi, Takashi Kakue, Yoshihiro Ishitani, Ken Morita
    • "Deriving spin-orbit parameters by single frequency analysis in diffusive transient spin dynamics"


      Hiroki Shida, Kohei Kawaguchi, Yasuhito Saito, Ichirota Takazawa, Daisuke Iizasa, Takahito Saito, Takahiro Kitada, Yoshihiro Ishitani, Makoto Kohda, Ken Morita
    • 招待講演

      "電子‐フォノン相互作用およびフォノン輸送のミクロ評価"


      石谷 善博

      "Electron-phonon interaction and microscopic phonon transport analysis"


      Yoshihiro Ishitani

2019

  • 第30回光物性研究会

    , 京都大学 宇治キャンパス, 2019年12月13-14日
    • "InGaAs量子井戸中電子スピンの低温時間分解顕微計測"


      齋藤康人、志田博貴、有川歩暉、北田貴弘、石谷善博、森田健
  • The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)

    , Okinawa, Japan, November 10-15, 2019
    • "Microscopic analysis of heat transport at GaInN/GaN heterointerface with misfit dislocations by two-wavelength Raman measurements"


      Shungo Okamoto, Bei Ma, Ken Morita, Daisuke Iida, Kazuhiro Ohkawa, and Yoshihiro Ishitani
  • 第80回応用物理学会秋季学術講演会

    , 北海道大学 札幌キャンパス, 2019年9月18-21日

    The 80th Japan Society of Applied Physics (JSAP) Autumn Meeting

    , Sapporo Campus, Hokkaido University, September 18-21, 2019
    • "ラマンピークシフトのマッピングによるInGaN のフォノン輸送評価"


      岡本 駿吾、馬 ベイ、森田 健、飯田 大輔、大川 和宏、石谷 善博

      "Phonon transport evaluation of InGaN by mapping of Raman peak energy shift"


      Shungo Okamoto, Bei Ma, Ken Morita, Daisuke Iida, Kazuhiro Ohkawa, Yoshihiro Ishitani
    • "2波長ラマン分光を用いたフォノン輸送評価における測定モード依存性"


      岡本 駿吾、馬 ベイ、森田 健、飯田 大輔、大川 和宏、石谷 善博

      "Dependence of phonon transport analysis using two excitation wavelengths on observation modes"


      Shungo Okamoto, Bei Ma, Ken Morita, Daisuke Iida, Kazuhiro Ohkawa, Yoshihiro Ishitani
    • "2LOフォノン−価電子帯間電子遷移系量子干渉の理論解析"


      相原 望、田中 大智、馬 ベイ、森田 健、石谷 善博

      "Analysis of quantum interference in 2LO-phonon inter-valence band transition system"


      Nozomi Aihara, Daichi Tanaka, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani
    • "GaAs-金属ストライプ構造からのLOフォノン共鳴赤外輻射特性の構造依存性"


      海老澤 啓介、馬 ベイ、森田 健、大木 健輔、石谷 善博

      "Structure dependence of Infrared radiation resonant with LO-Phonon energy: an example of GaAs/Metal stripe structures"


      Keisuke Ebisawa, Bei Ma, Ken Morita, Kensuke Oki, Yoshihiro Ishitani
  • 44th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2019)

    , Paris, France, September 1-6, 2019
    • "Longitudinal Optical Phonon Resonating Dipole Radiation From Metal- Semiconductor Composite Structures And Quantum Interference"


      Yoshihiro Ishitani, Keisuke Ebisawa, Daichi Tanaka, Nozomi Aihara, Bei Ma and Ken Morita
  • 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)

    , Bellevue, Washington, USA, July 7-12, 2019
    • "Time-Resolved Luminescence Studies of Indirect Excitons in h-BN Epitaxial Films Grown by Chemical Vapor Deposition Using Carbon-Free Precursors"


      Shigefusa F. Chichibu, Naoki Umehara, Keisuke Takiguchi, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Yoshihiro Ishitani and Kazuhiko Hara
    • "Functional Metal-GaN Micro-Stripe Structures for Infrared and Ultraviolet Regions"


      Yoshihiro Ishitani, Tsubasa Yamakawa, Bojin Lin, Kensuke Oki, Bei Ma, Ken Morita, Yusuke Hayashi, Hideto Miyake and Kazuhiro Ohkawa
    • "Analysis of Highly Si-Doped GaN Using Various Lattice Vibration Modes Observed by Infrared and Raman Spectroscopy"


      Bei Ma, Mingchuan Tang, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi and Hiroshi Fujioka
    • "Deep Level Luminescence of HVPE Grown GaN by Below-Bandgap Photo-Excitation"


      Daisuke Uehara, Moe Kikuchi, Bei Ma, Ken Morita, Hideto Miyake and Yoshihiro Ishitani
  • 第3回フォノンエンジニアリング研究会

    , 箱根湯本, 2019年7月5-6日
    • ポスター奨励賞第1位

      "価電子帯間遷移―2種LOフォノン系における量子干渉の理論解析"


      相原 望
    • "金属-半導体ストライプ構造によるLOフォノン共鳴THz輻射"


      海老澤 啓介
  • Tenth International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology (SpintechX)

    , Chicago, USA, June 24-27, 2019
    • "Diffusive spin dynamics in transient regime at room temperature"


      K. Morita, H. Shida, Y. Saito, K. Kawaguchi, I. Takazawa, D. Iizasa, T. Saito, Y. Ishitani, T. Kitada, and M. Kohda
  • 第11回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会

    , 広島大学, 2019年6月13-15日
    • "赤外及びラマン分光法による高密度SiドープGaN薄膜の評価"


      馬ベイ, 湯明川, 上野耕平, 小林篤, 藤岡洋, 石谷善博
    • "LOフォノン-価電子帯間遷移の量子干渉による結晶評価"


      相原望, 田中大智, 森田健, 馬ベイ, 石谷善博
  • 光・量子ビーム科学合同シンポジウム2019 (Opto 2019)

    , 大阪大学, 2019年6月12日
    • "高強度THzパルスを利用したスピン制御"


      森田 健
  • Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019)

    , Kasugano International Forum, Nara, Japan, May 19-23, 2019
    • "Local phonon analysis in InGaN film by mapping of Raman peak energy"


      Shungo Okamoto, Naomichi Saito, Bei Ma, Kensuke Oki, Ken Morita, Kazuhiro Ohkawa, and Yoshihiro Ishitani
    • "Analysis of emission characteristics of deep levels in GaN by direct photo excitation"


      Moe Kikuchi, Daisuke Uehara, Bei Ma, Ken Morita, Hideto Miyake, and Yoshihiro Ishitani
    • "Diffusive spin dynamics in 10 nm wide InGaAs/InAlAs quantum wells"


      Hiroki Shida, Yasuhito Saito, Kohei Kawaguchi, Ichirota Takazawa, Takahiro Kitada, Makoto Kohda, Yoshihiro Ishitani, and Ken Morita
  • 第66回応用物理学会春季学術講演会

    , 東京工業大学 大岡山キャンパス, 2019年3月9-12日

    The 66th Japan Society of Applied Physics (JSAP) Spring Meeting

    , Tokyo Institute of Technology, Ookayama Campus, March 9-12, 2019
    • "空間スキャン法によるInGaAs量子井戸スピン軌道相互作用係数の導出"


      志田 博貴, 川口 晃平, 高澤 一朗太, 齋藤 康人, 北田 貴弘, 好田 誠, 石谷 善博, 森田 健

      "Extraction of spin-orbit parameters of InGaAs quantum wells by scanning method"


      Hiroki Shida, Kohei Kawaguchi, Ichirota Takazawa, Yasuhito Saito, Takahiro Kitada, Makoto Kohda, Yoshihiro Ishitani, Ken Morita
    • "小型フーリエ変換赤外分光装置の製作と測定法の確立"


      中山 政裕, 菅野 裕吾, 石谷 善博, 北田 貴弘, 森田 健

      "Fabrication and mesurement using portable FTIR spectroscopy"


      MASAHIRO NAKAYAMA, Yugo Sugano, Yoshihiro Ishitani, Takahiro Kitada, Ken Morita
    • "高濃度SiドープGaNの深さ方向結晶性の赤外およびラマン分光評価"


      湯 明川, 馬 ベイ, 森田 健, 上野 耕平, 小林 篤, 藤岡 洋, 石谷 善博

      "Evaluation of crystallinity in the depth direction of highly Si doped GaN by IR and Raman spectroscopy"


      Mingchuan Tang, Bei Ma, Ken Morita, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka, Yoshihiro Ishitani
    • "GaNの深い準位の直接光励起による発光特性の考察"


      菊地 萌, 上原 大輔, 馬 ベイ, 森田 健, 三宅 秀人, 石谷 善博

      "Analysis of emission characteristics of deep levels in GaN by direct photo excitation"


      Moe Kikuchi, Daisuke Uehara, Bei Ma, Ken Morita, Hideto Miyake, Yoshihiro Ishitani
    • "励起子分子のポピュレーション密度及び発光減衰時間の理論計算"


      大木 健輔, 野町 健太郎, 林 伯金, 志村 桐門, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博

      "Theoretical Calculation of Population Density and Radiative Decay Time of Biexciton"


      Kensuke Oki, Kentaro Nomachi, Bojin Lin, Kirito Shimura, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani
    • "(113)B GaAsウエハ接合で作製したGaAs/AlGaAs多層膜結合共振器への電流注入によるレーザ発振"


      盧 翔孟, 小楠 洸太郎, 高橋 美沙, 合田 剛史, 熊谷 直人, 森田 健, 南 康夫, 北田 貴弘

      "Current-injection lasing from a GaAs/AlGaAs coupled multilayer cavity fabricated by (113)B GaAs wafer bonding"


      Xiangmeng Lu, Kotaro Ogusu, Misa Takahashi, Tsuyoshi Goda, Naoto Kumagai, Ken Morita, Yasuo Minami, Takahiro Kitada
  • LED総合フォーラム2019 in 徳島

    , 徳島グランヴィリオホテル, 2019年2月23日
    • "GaAs系の多層膜結合共振器を使ったテラヘルツLEDの作製を目指した基礎的研究"


      南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘
  • 東北大学電気通信研究所 共同プロジェクト研究会

    , 東北大学, 2019年1月31日
    • "半導体量子井戸における拡散電子スピン時空間ダイナミクス"


      森田 健

2018

  • 第29回光物性研究会

    , 京都大学 宇治キャンパス, 2018年12月7-8日
    • "高強度THzパルス照射下におけるGaAs中光励起電子スピンの時空間ダイナミクスシミュレーション"


      高澤 一朗太, 石谷 善博, 森田 健
    • "InGaAs量子井戸中拡散電子スピンに作用する内部有効磁場"


      川口 晃平, 深澤 俊樹, 志田 博貴, 齋藤 康人, 北田 貴弘, 石谷 善博, 森田 健
  • 第23回半導体スピン工学の基礎と応用 PASPS-23

    , 東京工業大学 すずかけ台キャンパス, 2018年12月6-7日
    • "The lifetime of persistent spin helix state under cubic Dresselhaus spin-orbit field in (001) and (110) two-dimensional electron gases"


      飯笹 大輔, 佐藤 大, 森田 健, 新田 淳作, 好田 誠
  • シンポジウム「テラヘルツ科学の最先端X」

    , 千葉大学 けやき会館, 2018年12月5-7日
    • 招待講演

      "半導体結合共振器構造を利用したテラヘルツ波発生"


      森田 健
    • "赤外分光法によるGaNの高電子密度層の空間分布評価"


      湯 明川
  • Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors

    , Tohoku University, Japan, November 18-20, 2018
    • Invited

      "Interactions of phonon, electron, and photon in nitride semiconductors"


      Yoshihiro Ishitani, Kensuke Oki, Naomichi Saito, Tsubasa Yamakawa, Daisuke Uehara, Shungo Okamoto, Moe Kikuchi, Keisuke Ebisawa, Bojin Lin, Bei Ma, and Ken Morita
  • International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)

    , Kanazawa, Japan, November 11-16, 2018
    • Invited

      "Statistics of excitonic energy states based on phonon-exciton-radiation model"


      Yoshihiro Ishitani
  • The 8th Annual World Congress of Nano Science & Technology

    , Potsdam, Germany, October 24-26, 2018
    • Invited

      "Optical absorption and emission in THz-mid infrared region of metal-semiconductor composites"


      Yoshihiro Ishitani
  • 23rd Microoptics Conference (MOC 2018)

    , Taipei, Taiwan, October 15-18, 2018
    • "Time Resolved Measurement of Two-Color Laser Lights Emitted from a GaAs/AlGaAs Coupled Multilayer Cavity"


      Yasuo Minami, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Ken Morita and Takahiro Kitada
  • International Conference on Nanomaterials and Nanotechnology

    , Stockholm, Sweden, October 9-11, 2018
    • Invited

      "Optical properties of metal-semiconductor composites in THz-mid infrared region"


      Yoshihiro Ishitani, Hironori Sakamoto, Tomoyoki Aoki, Hidenori Funabashi, and Ken Morita
  • 第79回応用物理学会秋季学術講演会

    , 名古屋国際会議場, 2018年9月18-21日

    The 79th Japan Society of Applied Physics (JSAP) Autumn Meeting

    , Nagoya Congress Center, September 18-21, 2018
    • "InGaAs量子井戸中の拡散電子スピンに作用する内部有効磁場"


      川口 晃平, 深澤 俊樹, 志田 博貴, 齋藤 康人, 北田 貴弘, 石谷 善博, 森田 健

      "Spin-orbit magnetic field induced by diffusive electron spins in InGaAs quantum wells"


      Kohei Kawaguchi, Toshiki Fukasawa, Hiroki Shida, Yasuhito Saito, Takahiro Kitada, Yoshihiro Ishitani, Ken Morita
    • "ラマン散乱マッピングによるInGaNの局所フォノン場評価"


      齋藤 直道, 瀧口 佳祐, 馬 ベイ, 森田 健, 飯田 大輔, 大川 和宏, 石谷 善博

      "Local phonon field analysis in InGaN by mapping measurements of Raman scattering"


      Naomichi Saito, Keisuke Takiguchi, Bei Ma, Ken Morita, Daisuke Iida, Kazuhiro Ohkawa, Yoshihiro Ishitani
    • "GaAs/AlGaAs多層膜結合共振器への電流注入による二波長発振の動的振る舞いの温度依存性"


      小楠 洸太朗, 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘

      "Temperature dependence of temporal behavior of two-color lasing by pulsed current injection into a GaAs/AlGaAs coupled multilayer cavity"


      Kotaro Ogusu, Yasuo Minami, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Ken Morita, Takahiro Kitada
  • 2018年電子情報通信学会ソサイエティ大会

    , 金沢大学 角間キャンパス, 2018年9月11-14日
    • "半導体多層膜結合共振器による赤外二波長レーザー発振"


      北田 貴弘, 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健
  • 43rd International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)

    , Nagoya, Japan, September 9-14, 2018
    • "Finite-difference Time-domain Simulation Of Terahertz Pulse Generation By Non-collinear Phase Matching Using Obliquely Crossed Optical Pulses"


      Ken Morita, Yuta Osumi, and Yoshihiro Ishitani
  • 光科学の最新トレンド

    , 大阪大学, 2018年9月6日
    • 招待講演

      "半導体中スピン軌道相互作用を利用した光励起スピン制御"


      森田 健
  • 10th International School and Conference on Physics and Applications of Spin Phenomena in Solids (PASPS 10)

    , Johannes Kepler University, Linz, Austria, August 5-9, 2018
    • "Optical evaluation of spin diffusion and spin-orbit parameters in an InGaAs/InAlAs multiple quantum wells"


      Ken Morita, Toshiki Fukasawa, Kohei Kawaguchi, Takahiro Kitada, Yoshihiro Ishitani
  • 2018年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会

    , 広島大学 東広島キャンパス, 2018年8月4日
    • "GaAs/AlGaAs結合共振器による二波長面発光レーザの時間分解スペクトル測定"


      小楠 洸太朗, 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘
  • 34th International conference on the physics of semiconductors (ICPS 2018)

    , Montpellier, France, July 29 to August 3, 2018
    • "Control of THz emission and absorption resonating with LO phonon energy by meal/semiconductor-composite materials"


      Yoshihiro Ishitani
  • 第二回フォノンエンジニアリング研究会

    , KKRホテル熱海, 2018年7月13-14日
    • "ワイドギャップ半導体における励起子-フォノン系の非熱平衡解析"


      大木 健輔
  • The Compound Semiconductor Week 2018 (CSW 2018)

    , Massachusetts Institute of Technology, USA, May 29 to June 1, 2018
    • "Temperature Tuning of Two-Color Lasing Using a Coupled GaAs/AlGaAs Multilayer Cavity by Current Injection"


      Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Naoto Kumagai, Ken Morita, and Takahiro Kitada
  • The Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2018)

    , San Jose, California, USA, May 13-18, 2018
    • "Simultaneous Oscillation of Two-Color Laser Lights from a GaAs/AlGaAs Coupled Multilayer Cavity"


      Yasuo Minami, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Ken Morita, and Takahiro Kitada
  • 第65回応用物理学会春季学術講演会

    , 早稲田大学西早稲田キャンパス, 2018年3月17-20日

    The 65th Japan Society of Applied Physics (JSAP) Spring Meeting

    , WASEDA University Nishiwaseda Campus, March 17-20, 2018
    • "波長切り出し系を利用した通信波長帯スピン時空間ダイナミクス計測"


      川口 晃平, 深澤 俊樹, 北田 貴弘, 石谷 善博, 森田 健

      "Time- and spatial-resolved optical measurements of spin dynamics at communication wavelength band using a wavelength selecting system"


      Kohei Kawaguchi, Toshiki Fukasawa, Takahiro Kitada, Yoshihiro Ishitani, Ken Morita
    • "Monte-Carlo simulation of time- and spatial-dynamics for electron spins in GaAs under the high-power THz pulse"


      Ichirota Takazawa, Yoshihiro Ishitani, Ken Morita
    • "GaN,AlN,ZnOにおける励起子の非熱平衡解析"


      大木 健輔, 野町 健太郎, 西川 智秀, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博

      "Nonthermal-Equilibrium Analysis of Exciton in GaN, AlN, and ZnO"


      Kensuke Oki, Kentaro Nomachi, Tomohide Nishikawa, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani
    • "フォノンプロセスを考慮した励起子ダイナミクス解析(PXRモデル)"


      石谷 善博, 大木 健輔, 野町 健太郎, 馬 ベイ, 森田 健

      "Exciton dynamics analysis by taking into account phonon processes (PXR model)"


      Yoshihiro Ishitani, Kensuke Oki, Kentaro Nomachi, Bei Ma, Ken Morita
    • "GaAs/Auストライプ構造を用いたLOフォノン共鳴の赤外光輻射"


      青木 伴晋, 花田 昂樹, 坂本 裕則, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博

      "Radiation of infrared light resonant with LO-Phonon energy: an example of GaAs/Au stripe structures"


      Tomoyuki Aoki, Koki Hanata, Hironori Sakamoto, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani
    • "半導体/金属ストライプ構造における電気双極子形成に伴う誘電関数変化"


      坂本 裕則, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博

      "Variation of dielectric function on semiconductor/metal stripe structure"


      Hironori Sakamoto, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani
  • 第13回励起ナノプロセス研究会

    , 淡路夢舞台国際会議場, 2018年1月20日
    • 招待講演

      "ワイドギャップ半導体キャリア・フォノンダイナミクス"


      石谷 善博, 大木 健輔, 野町 健太郎, 馬 ベイ, 森田 健

2017

  • 第28回光物性研究会

    , 京都大学宇治キャンパス, 2017年12月8-9日

    The 28th Symposium of Association for Condensed Matter Photophysics

    , Kyoto University, Japan, December 8-9, 2017
    • "InGaAs/InAlAs多重量子井戸における可視光レーザー励起下でのスピン緩和異方性"


      川口 晃平, 高岩 悠, 北田 貴弘, 石谷 善博, 森田 健

      "Spin relation Anisotropy under the above-barrier excitation in an InGaAs/InAlAs multiple quantum wells"


      Kohei Kawaguchi, Haruka Takaiwa, Takahiro Kitada, Yoshihiro Ishitani, Ken Morita
    • "通信波長帯切り出し系を用いたスピンの時空間ダイナミクス"


      深澤 俊樹, 川口 晃平, 石谷 善博, 北田 貴弘, 森田 健

      "Time- and Spatial-resolved Kerr rotation measurements of spin dynamics in InGaAs multiple quantum wells"


      Toshiki Fukasawa, Kohei Kawaguchi, Yoshihiro Ishitani, Takahiro Kitada, Ken Morita
    • "高強度THzパルス照射下におけるGaAs中光励起キャリアの時空間ダイナミクスシミュレーション"


      高澤 一朗太, 石谷 善博, 森田 健

      "Monte-Calro simulation of time- and spatial-dynamics for the optical excited carriers in GaAs quantum wells under the high field THz pulse"


      Ichirota Takazawa, Yoshihiro Ishitani, Ken Morita
    • "FDTD法を用いたテラヘルツパルス発生のシミュレーション"


      大隅 勇汰, 石谷 善博, 森田 健

      "Simulation of Terahertz Pulse Generation by the FDTD Method"


      Yuta Osumi, Yoshihiro Ishitani, Ken Morita
  • International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017)

    , Fukuoka, Japan, November 14-18, 2017
    • "Introduction of Biexciton Processes into Exciton Dynamics Simulation for GaN on the Basis of Phononic-Excitonic-Radiative Model"


      Kentaro Nomachi, Kensuke Oki, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
  • 第5回豊田理研ワークショップ 「スピン秩序の動的光制御」

    , トヨタ産業技術記念館(名古屋市), 2017年10月19-20日
    • "InGaAs/InAlAs多重量子井戸における可視光レーザー励起下でのスピン緩和異方性"


      川口 晃平, 高岩 悠, 北田 貴弘, 石谷 善博, 森田 健
    • "通信波長帯切り出し系を用いたスピンの時空間ダイナミクス"


      深澤 俊樹, 川口 晃平, 石谷 善博, 森田 健, 北田 貴弘
    • "高強度THzパルス照射下におけるGaAs中光励起キャリアの時空間ダイナミクスシミュレーション"


      高澤 一朗太, 石谷 善博, 森田 健
    • "FDTD法によるテラヘルツパルス生成の時空間シミュレーション"


      森田 健, 大隅 勇汰, 石谷 善博
  • The 11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017)

    , Banff, Alberta, Canada, October 8-12, 2017
    • "C exciton and A exciton dynamic of m-plane GaN film"


      Bei Ma, Tsubasa Yamakawa, and Yoshihiro Ishitani
  • 第78回応用物理学会秋季学術講演会

    , 福岡国際会議場・福岡国際センター・福岡サンパレスホテル, 2017年9月5-8日

    The 78th Japan Society of Applied Physics (JSAP) Autumn Meeting

    , Fukuoka Convention Center, September 5-8, 2017
    • "Spin relaxation time anisotropy of in-plane magnetic fields in InGaAs/InAlAs multiple quantum wells"


      Ken Morita, Haruka Takaiwa, Kohei Kawaguchi, Takahiro Kitada, Yoshihiro Ishitani
    • "FDTD法を用いたテラへルツパルス発生のシミュレーション"


      大隅 勇汰, 森田 健, 石谷 善博

      "Simulation about generation of Terahertz Pulse using FDTD Method"


      Yuta Osumi, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani
    • "AlN薄膜を用いたLOフォノン共鳴電気双極子形成および表面ポラリトン伝搬"


      坂本 裕則, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博

      "Construction of LO phonon-resonant dipolemoment and surface polariton on AlN film"


      Hironori Sakamoto, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani
    • 招待講演

      "窒化物半導体における電子‐フォノン相互作用と結晶性"


      石谷 善博, 馬 ベイ, 大木 健輔, 坂本 裕則, 森田 健

      "Electron-phonon interaction and crystal quality of III-nitride semiconductors"


      Yoshihiro Ishitani, Bei Ma, Kensuke Oki, Hironori Sakamoto, Ken Morita
    • "p型GaNにおける深い準位を介した発光特性の解析"


      庄司 凌, 上原 大侑, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博, 塩島 謙次

      "Analysis of emission characteristics of deep levels in p-type GaN"


      Ryo Shoji, Daisuke Uehara, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani, Kenji Shiojima
  • 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)

    , Strasbourg, France, July 24-28, 2017
    • "Interface phonon polariton propagation and LO phonon-resonant absorption of infrared light in AlN/metal-composites"


      Hironori Sakamoto, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • "Theoretical calculation of rate coefficients, densities, and decay time of excitons and free carriers in GaN"


      Kensuke Oki, Kentaro Nomachi, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • "Simulation of transient carrier-exciton-phonon energy transport in GaN"


      Bei Ma and Yoshihiro Ishitani
  • 第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会

    , 北海道大学, 札幌, 2017年7月13-15日
    • "AlN/金属ストライプ構造における表面, 界面ポラリトンモード観測"


      坂本 裕則, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷善博
    • 招待講演

      "フォノンによるGaN励起子ダイナミクス過程への影響"


      馬 ベイ, 石谷 善博
  • Compound Semiconductor Week 2017 (CSW 2017)

    , Berlin, Germany, May 14-18, 2017
    • "Dielectric interaction of infrared light and electron-phonon coupling system in metal/semiconductor composites"


      E. Takeuchi, H. Sakamoto, B. Ma, K. Morita, and Y. Ishitani
  • EMN Meeting on Optoelectronics

    , Victoria, Canada, April 18-21, 2017
    • Invited

      "Photonic function based on longitudinal optical phonon modes of semiconductors: infrared absorption control of composite materials and destructive quantum interferences"


      Y. Ishitani, H. Sakamoto, B. Ma, and K. Morita
  • 第64回応用物理学会春季学術講演会

    , パシフィコ横浜, 2017年3月14-17日

    The 64th Japan Society of Applied Physics (JSAP) Spring Meeting

    , Pacifico Yokohama, March 14-17, 2017
    • "磁場下赤外反射分光によるInN電子有効質量の解析"


      松本 大, 馬 ベイ, 森田 健, 福井 一俊, 木村 真一, 飯塚 拓也, 石谷 善博

      "Analysis of effective electron mass of InN by infrared reflectance spectroscopy in high magnetic field"


      Masaru Matsumoto, Bei Ma, Ken Morita, Kazutoshi Fukui, Shin-ichi Kimura, Takuya Iizuka, and Yoshihiro Ishitani
    • "GaNにおける定常状態励起子分子準位間遷移過程理論解析"


      野町 健太郎, 大木 健輔, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博

      "Numerical analysis of exciton and biexciton dynamics in GaN"


      Kentaro Nomachi, Kensuke Oki, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • "GaNにおける励起子及び自由キャリアの密度とレート係数の理論計算"


      大木 健輔, 野町 健太郎, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博

      "Theoretical Calculation of Rate Coefficients and Densities of Excitons and Free Carriers"


      Kensuke Oki, Kentaro Nomachi, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • "金属/半導体複合構造におけるLOフォノン-プラズモン結合モード共鳴赤外光吸収とポラリトン損失"


      竹内 映人, 坂本 裕則, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博

      "Resonant absorption of infrared light at LO phonon-plasmon coupled mode energies and reflectance loss due to polariton generation in semiconductor/metal composites"


      Eito Takeuchi, Hironori Sakamoto, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani
    • "AlN/金属ストライプ構造のラマン散乱スペクトルにおけるA1-E1選択則の崩れに関する検討"


      坂本 裕則, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博

      "Study on the break of A1-E1 selection rule in Raman spectra of AlN/Al-stripe structures"


      Hironori Sakamoto, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani
    • "高強度THzパルス照射下での電子の時空間シミュレーション"


      高澤 一朗太, 森田 健, 石谷 善博

      "Time- and space-simulation of electrons when intense THz pulse is entered"


      Ichirota Takazawa, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
  • 3rd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-3)

    , Tohoku University, Japan, January 16-18, 2017
    • Invited

      "Phononic phenomenon in carrier dynamics and interaction with radiation in III-nitride materials"


      Yoshihiro Ishitani, Bei Ma, Kensuke Oki, Hironori Sakamoto, and Ken Morita

2016

  • International Conference on Science and Engineering

    , Yangon Myanmar, December 10-11, 2016
    • Key note Talk

      "Phonon Engineering of Semiconductors in THz frequency region"


      Yoshihiro Ishitani, Hironori Sakamoto, Eito Takeuchi, Bei Ma, and Ken Morita
    • "Electronic transition dynamics of deep levels in a p-GaN film analysed by time resolved PL measurements using two excitation laser beams"


      Hla Myo Tun, Ryo Shouji, Bei Ma, Ken Morita, Kenji Shiojima
  • 第4回 超高速光エレクトロニクス研究会

    , 東北大学, 2016年11月24-25日
    • 招待講演

      "フォノン・電子・励起子相互作用によるGaN励起子の励起・脱励起過程"


      石谷善博,馬 ベイ,大木健輔,森田 健,三宅秀人,平松和政
  • International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)

    , Hilton Orlando Lake Buena Vista, Orlando, Florida, October 2-7, 2016
    • "Exciton Dynamics and Stability of GaN in Non-Thermal Equilibrium State by the Analysis Taking into Account the Higher-Order Exciton States"


      Yoshihiro Ishitani, Kazuma Takeuchi, Tomohiro Iwahori, Naoyuki Oizumi, Kensuke Oki, Kentaro Nomachi, Bei Ma, Ken Morita, Hideto Miyake, and Kazumasa Hiramatsu
    • "Simulation of carrier-exciton-phonon dynamics in GaN in non-equilibrium state"


      Bei Ma and Yoshihiro Ishitani
  • 第77回応用物理学会秋季学術講演会

    , 朱鷺メッセ(新潟), 2016年9月13-16日

    The 77th Japan Society of Applied Physics (JSAP) Autumn Meeting

    , Tokimesse (Niigata), September 13-16, 2016
    • "[優秀論文賞受賞記念講演] Carrier dynamics and related electronic band properties of InN films"


      石谷 善博

      "[JSAP Paper Award Speech] Carrier dynamics and related electronic band properties of InN films"


      Yoshihiro Ishitani
    • "フォノンの吸放出による電子・励起子系エネルギーの励起過程"


      馬 ベイ, 三宅 秀人, 平松 和政, 石谷 善博

      "Excitation processes of electron-exciton system by phonon absorption and emission"


      Bei Ma, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, and Yoshihiro Ishitani
    • "GaNにおける励起子・励起子分子準位間遷移過程の理論計算"


      野町 健太郎, 岩堀 友洋, 大木 健輔, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博

      "Numerical simulation of exciton and biexciton dynamics for GaN"


      Kentaro Nomachi, Tomohiro Iwahori, Kensuke Oki, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • "InGaAs/InAlAs(001)多重量子井戸中の電子スピン緩和時間の外部光照射光強度依存性"


      高岩 悠, 森田 健, 石谷 善博, 北田 貴弘, 井須 俊郎

      "External laser power dependence of spin lifetime in InGaAs/InAlAs (001) multiple quantum wells"


      Haruka Takaiwa, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani, Takahiro Kitada, Toshirou Isu
    • "p型Ga0.5In0.5P における高濃度p型ドープ試料におけるフォノン系電磁誘起透明化のスペクトル計算"


      坂本 裕則, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博

      "Spectrum simulation on electromagnetically induced transparency of highly doped p-Ga0.5In0.5P"


      Hironori Sakamoto, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Isitani
    • "半導体/金属複合構造におけるLOフォノン-プラズモン結合モードでの赤外光吸収"


      竹内 映人, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博

      "Absorption of infrared light at LO phonon-plasmon coupled mode on semiconductor/metal composite structure"


      Eito Takeuchi, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Isitani
  • 9th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Solids (PASPS 9)

    , Kobe International Conference Center, Kobe City, Japan, August 8-11, 2016
    • "Electron spin g-factor in In0.53Ga0.47As/In0.53Al0.47As multiple wells measured by time-resolved Faraday rotation"


      Ken Morita, Akihito Okumura, Tatsuya Oda, Yoshihiro Ishitani, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
  • Compound Semiconductor Week 2016 (CSW 2016)

    , Toyama, Japan, June 26-30, 2016
    • "Introducing of Biexciton Processes into Exciton Dynamics Simulation for GaN Based on Collisional Phononic and Radiative Model"


      Kentaro Nomachi, Tomohiro Iwahori, Kensuke Oki, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • "Quantum interference of three LO modes in p-type Ga0.5In0.5P: Contribution of a trigonal phonon mode"


      Hironori Sakamoto, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
  • 第8回窒化物半導体結晶成長講演会

    , 京都大学, 2016年5月9-10日
    • "非熱平衡状態におけるGaN励起子ダイナミクスの実験解析及び数値計算"


      馬 ベイ, 竹内 和真, 石谷 善博, 三宅 秀人, 平松 和政
    • "GaNにおける定常状態励起子分子準位間遷移過程理論計算"


      野町 健太郎, 岩堀 友洋, 大木 健輔, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博
  • 第63回応用物理学会春季学術講演会

    , 東京工業大学 大岡山キャンパス, 2016年3月19-22日

    The 63rd Japan Society of Applied Physics (JSAP) Spring Meeting

    , Ookayama Campus, Tokyo Institute of Technology, March 19-22, 2016
    • "高次励起子準位を用いたGaNにおける励起子の励起・脱励起ダイナミクス解析"


      竹内 和真, 大泉 尚之, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博, 三宅 秀人, 平松 和政

      "Theoretical investigation of non-thermal equilibrium exciton dynamics based on phonon-collision-radiation model in GaN"


      Kazuma Takeuchi, Naoyuki Oizumi, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Isitani, Hidehito Miyake, Kazumasa Hiramatsu
    • "GaNにおける非熱平衡系励起子遷移過程のフォノン・衝突・輻射モデルに基づく解析"


      岩堀 友洋, 野町 健太郎, 大木 健輔, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博

      "Theoretical investigation of non-thermal equilibrium exciton dynamics based on phonon-collision-radiation model in GaN"


      Tomohiro Iwahori, Kentaro Nomachi, Kensuke Oki, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Isitani
    • "赤外反射分光によるGaN 薄膜の電子特性深さ分解評価手法"


      上條 隆明, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博

      "Electron properties depth-resolved evaluation of GaN films by Infrared reflection spectra"


      Hironori Sakamoto, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Isitani
    • "p型Ga0.5In0.5P における複数種LO 準位と電子遷移系の量子干渉効果"


      坂本 裕則, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博

      "The quantum interference of multiple LO modes and an electronic continuum on p-Ga0.5In0.5P"


      Hironori Sakamoto, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Isitani
    • "時間分解ファラデー回転法によるInGaAs/InAlAs多重量子井戸における電子g因子測定"


      森田 健、奥村 朗人、石谷 善博、北田 貴弘、井須 俊郎

      "Time-resolved Faraday rotation measurement of electron g-factor in In0.53Ga0.47As/In0.53Al0.47As multiple quantum wells"


      Ken Morita, Akihito Okumura, Yoshihiro Ishitani, Takahiro Kitada, Toshiro Isu

2015

  • 第26回光物性研究会

    , 神戸大学百年記念会館, 2015年12月11-12日

    The 26th Symposium of Association for Condensed Matter Photophysics

    , Kobe University, Japan, December 11-12, 2015
    • "M字型光学系を利用したチェレンコフテラヘルツパルス発生"


      塩澤 建人, 森田 健, 石谷 善博

      "Generation of Cherenkov terahertz pulse using a M-shaped optical system"


      Kento Shiozawa, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani
    • "モンテカルロ法に基づく半導体量子井戸中スピン偏極のフォノン散乱を考慮した空間マッピング"


      黒澤 亮太, 森田 健, 好田 誠, 石谷 善博

      "Spatial mapping of spin polarization in quantum wells including phonon scattering using Monte Carlo simulation"


      Ryota Kurosawa, Ken Morita, Makoto Kohda, Yoshihiro Ishitani
    • "In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As 多重量子井戸におけるg因子の温度依存性"


      奥村 朗人, 森田 健, 石谷 善博, 北田 貴弘, 井須 俊郎

      "Temperature dependence of electron g-factor in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As multiple quantum wells"


      Akihito Okumura, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
  • The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)

    , Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan, November 8-13, 2015
    • "Depth profile characterization technique of electron density in GaN films by infrared reflection spectra"


      Takaaki Kamijoh, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • "Theoretical investigation of non-thermal equilibrium exciton dynamics based on hydrogen plasma model in GaN"


      Tomohiro Iwahori, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • "Effect of impurity on the exciton dynamics of GaN in non-thermal equilibrium state"


      Bei Ma, Kazuma Takeuchi, and Yoshihiro Ishitani
  • 第76回応用物理学会秋季学術講演会

    , 名古屋国際会議場, 2015年9月13-16日

    The 76th Japan Society of Applied Physics (JSAP) Autumn Meeting

    , Nagoya Congress Center, Japan, September 13-16, 2015
    • "M字型光学系を利用したチェレンコフテラヘルツパルス発生"


      塩澤 建人, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博

      "Generation of Cherenkov terahertz pulse using the M-shaped optical system"


      Kento Shiozawa, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani
    • "赤外反射分光による GaN の電子深さ特性評価手法"


      上條 隆明, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博

      "Depth profile characteristic evaluation technique of electron in GaN by infrared reflection spectra"


      Takaaki Kamijoh, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Isitani
    • "GaNにおけるフォノン-キャリアダイナミクス解析"


      馬 ベイ, 竹内 和真, 岩堀 友洋, 三宅 秀人, 平松 和政, 石谷 善博

      "Theoretical investigation of non-thermal equilibrium exciton dynamics based on hydrogen plasma model in GaN"


      Bei Ma, Kazuma Takeuchi, Tomohiro Iwahori, Yoshihiro Ishitani, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
    • "GaNにおける非熱平衡系励起子遷移過程の水素プラズマモデルに基づいた計算"


      岩堀 友洋,竹内 和真, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博

      "Theoretical investigation of non-thermal equilibrium exciton dynamics based on hydrogen plasma model in GaN"


      Tomohiro Iwahori, Kazuma Takeiuchi, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani
    • "LO フォノン-価電子帯間遷移の量子干渉におけるキャリア分布の影響"


      坂本 裕則、馬 ベイ、森田 健、石谷 善博

      "The influence of hole distribution on interference between LO phonon and inter valence band transition"


      Hironori Sakamoto, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani
  • The 11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11)

    , Beijing, China, August 30th - September 4th, 2015
    • "Mid-Infrared Absorption at the LO Phonon Energy of Metal/GaN-Composite Structure"


      Yoshihiro Ishitani, Keiuke Hatta, Eito Takeuchi, Bei Ma, and Ken Morita
    • "Numerical analysis of carrier-exciton-phonon system in GaN: an example of ion impurity effect"


      Bei Ma and Yoshihiro Ishitani
  • The 40th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)

    , Hong Kong, China, August 23-28, 2015
    • "Interference of 2 LO phonon and continuum inter-valence band transition in p-GaInP film"


      Hironori Sakamoto, Yoshihiro Ishitani, Ken Morita, and Bei Ma
    • "Mid-infrared absorption at the LO phonon energy of metal/GaN-composite structure"


      Yoshihiro Ishitani, Keisuke Hatta, Eito Takeuchi, Bei Ma, and Ken Morita
  • 第7回窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6)

    , 東北大学, 2015年5月7-8日
    • "GaNにおける定常状態励起子遷移過程の水素プラズマモデルに基づいた計算"


      岩堀 友洋, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博

      "Theoretical investigation of steady-state exciton dynamics based on hydrogen plasma model in GaN"


      Tomohiro Iwahori, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Isitani
    • "赤外反射分光によるGaNの電子密度深さ不均一性評価手法"


      上條 隆明, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博

      "Electron density depth inhomogeneity evaluation technique of GaN by infrared reflection spectra"


      Takaaki Kamijoh, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Isitani
  • 第62回応用物理学会春季学術講演会

    , 東海大学 湘南キャンパス, 2015年3月11-14日

    The 62nd Japan Society of Applied Physics (JSPS) Spring Meeting

    , Shonan Campus, Tokai University, March 11-14, 2015
    • "赤外反射分光による 赤外反射分光による GaN のキャリヤ密度深さ分布解析"


      上條 隆明,・ 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博

      "Carrier density depth profiling analysis of GaN by infrared reflection spectra"


      Takaaki Kamijoh, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Isitani
    • "p型GaInPにおけるフォノン‐電子系量子干渉パラメータの評価"


      坂本 裕則,馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博

      "Characterization of quantum interference parameter of phonon-electron system in p-GaInP"


      Hironori Sakamoto, Ma Bei, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani
    • "GaAs/Tiストライプ構造におけるLOフォノン周波数での赤外光吸収"


      竹内 映人,馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博

      "Absorption of infrared light at LO phonon frequency: An example of GaAs/Ti stripe structures"


      Eito Takeuchi, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani
    • "Monte Carlo法に基づくInGaAs量子井戸中スピン偏極の高温における空間マッピング"


      黒澤 亮太, 森田 健, 石谷 善博

      "Spatial mapping of spin polarization in InGaAs quantum wells at high temperature using Monte Carlo simulation"


      Ryota Kurosawa, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani
    • "GaNにおけるキャリア・励起子エネルギー緩和過程の励起条件依存に関する数値解析"


      馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博

      "Numerical analysis of the effect of excitation condition on energy relaxation processes of carriers and excitons in GaN"


      Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • "励起子励起準位を用いたGaNの励起子ダイナミクスの解析"


      竹内 和真, 大泉 尚之, 馬 ベイ, 森田 健, 石谷 善博, 三宅 秀人, 平松 和政

      "Analysis of exciton dynamics using emission of excited hydrogenic level of exciton in GaN"


      Kazuma Takeuchi, Naoyuki Oizumi, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu

2014

  • International Conference on Science and Engineering

    , Yangon, Myanmar, December 28-29, 2014
    • Invited

      "Optical characterization of III-nitride semiconductors for ultraviolet to infrared light emitting devices"


      Y. Ishitani
  • 第75回応用物理学会秋季学術講演会

    , 北海道大学, 2014年9月17-20日

    The 75th Japan Society of Applied Physics (JSPS) Autumn Meeting

    , Hokkaido University, September 17-20, 2014
    • "GaN におけるキャリア・励起子エネルギー緩和過程"


      馬ベイ,山口裕暉,高橋賢治,後藤圭,竹内和真,岩堀友洋,森田健,石谷善博,三宅秀人,平松和政

      "The energy relaxation process of carrier and exciton in GaN"


      Bei Ma, Yuki Yamaguchi, Kenji Takahashi, Kei Goto, Kazuma Takeuchi, Tomohiro Iwahori, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
    • "Monte Carlo法に基づくInGaAs系量子井戸中スピン偏極の空間マッピング"


      黒澤 亮太,森田 健,石谷 善博

      "Spatial mapping of spin polarization in InGaAs quantum wells using Monte Carlo simulation"


      Ryota Kurosawa, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani
    • "Room temperature spin relaxation in InGaAs quantum wells"


      Ken Morita, Ryota Kurosawa, Tatsuya Oda, Yoshihiro Ishitani, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
    • "赤外分光によるキャリアダイナミクスおよび結晶特異構造評価"


      石谷 善博,森田 健,馬 ベイ

      "Study of carrier dynamics and crystal singularity by infrared spectroscopy"


      Yoshihiro Ishitani, Ken Morita, Bei Ma
    • "ファノ干渉の影響を考慮したGaInP のラマン散乱スペクトルの詳細な解析"


      坂本 裕則,石原 一行,馬 ベイ,森田 健,石谷 善博

      "Analysis of GaInP raman spectra considering fano interference"


      Hironori Sakamoto, Kazuyuki Ishihara, Bei Ma, Ken Morita, Yoshihiro Ishitani
  • 第61回応用物理学会春季学術講演会

    , 青山学院大学, 2014年3月17-20日

    The 61st Japan Society of Applied Physics (JSPS) Spring Meeting

    , Aoyama Gakuin University, March 17-20, 2014
    • "通信波長帯InGaAs量子井戸中のスピン緩和"


      森田健,小田達也,石谷善博,北田貴弘,井須俊郎

      "Spin relaxation in InGaAs quantum wells at optical communication waveband"


      Ken Morita, Tatsuya Oda, Yoshihiro Ishitani, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
    • "p型GaInPを用いた2種フォノンと連続準位の量子干渉効果"


      坂本裕則,石原一行,馬ベイ,森田健,石谷善博

      "Fano interference of two phonon and continuum in p-GaInP"


      Hironori Sakamoto, Kazuyuki Ishihara, Ma Bei, Ken Morita, Yoshihiro Isitani