Top｜量子デバイス物性研究室
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−研究室概要−
　これまで、光と物質の相互作用に関する科学技術の開拓によりレーザなど様々な技術が創製されてきました。 本研究室では、波長百マイクロメートルにおよぶTHz波から200ナノメートル程度の紫外域まで高波長域にわたり、 時にはナノ・マイクロ構造を対象とし、量子干渉など最先端の科学・技術を追求することを行っています。 このためにナノメートルオーダーの光物性評価ができる装置や超短パルスレーザなど先端機材を用い、 また理論計算を行って新たな視点から物理現象を理解し、これまでの概念にとらわれない光デバイスの創成を目指します。


学生へのメッセージ
TOPICS
2024.11.8 国際会議 IWN 2024 において石谷善博教授が招待講演を行いました。
2024.8.26 フォノン-励起子-輻射モデルにより明らかとなった超薄AlN/GaN/AlN量子井戸の励起子ポピュレーション分布及び遷移特性に対する有用性の論文が Physica Status Solidi B誌に掲載されました。
2024.8.23 表面金属-半導体グレーティング構造からの熱電気双極子放射に対する材料依存放射-LOフォノン相互作用の影響の論文が Infrared Physics & Technology誌に掲載されました。
2024.7.1 InNモル分率の段階的変化の導入によるGaInN/GaNヘテロ界面のフォノン輸送の局所的増大の論文が Applied Physics Letters誌に掲載されました。
2024.4.27 GaInN/GaNヘテロ構造におけるA1(LO)とE2(high)フォノンの統合ラマン分光によるフォトルミネセンス放射効率解析方法の論文が Physica Status Solidi B誌に掲載されました。
2024.2.1 国際会議 SPIE Photonics West において石谷善博教授が招待講演を行いました。
2024.1.18 直接及び間接電子遷移型半導体上の表面マイクログレーティングからの熱放射に対するLOフォノン–プラズモン結合のダンピング効果の論文が Applied Physics Letters誌に掲載されました。
2023.12.23 LOフォノンエネルギーでの熱放射の共鳴増強を支援するメサタイプ金属/誘電体表面グレーティング構造の特徴の論文が Physica Status Solidi A誌に掲載されました。
2023.10.19 n++ドープGaN–半絶縁性GaNグレーティング構造からのLOライクフォノン共鳴した中赤外熱輻射の論文がJournal of Physics D誌に掲載されました。
2023.10.6 金属-GaAs表面マイクロストライプ構造のLOフォノン共鳴熱放出効率とスペクトル制御の論文がInfrared Physics & Technology誌に掲載されました。
2023.10.2 7月〜9月に「さくらサイエンスプログラム」のオンライン及び本研究室滞在での交流が実施されました。 ミャンマーから学生4名と教員1名が約3週間滞在しました。
2022.12.10 12月5日〜12月10日に「さくらサイエンスプログラム」のオンライン交流がこちらのスケジュールで実施されました。ミャンマーおよびトルコから合わせて20名にご参加頂きました。
2022.6.20 週刊 文教ニュース 第2705号に本研究室での「さくらサイエンスプログラム」国際交流の記事が掲載されました。
2021.12.3 11月29日〜12月3日に「さくらサイエンスプログラム」のオンライン交流がこちらのスケジュールで実施されました。
2021.10.1 森田健教授グループが同電気電子工学コースの電気電子基礎研究室へ移籍しました。
2021.3.11 国際会議 SPIE Photonics West において石谷善博教授が招待講演を行いました。
2020.12.12 修士課程2年の岡本 駿吾さんの発表と修士課程1年の林 鴻太朗さんの発表が共に第4回フォノンエンジニアリング研究会の優秀ポスター賞を受賞しました。
2020.10.29 国際会議 ASME InterPACK 2020 において石谷善博教授が招待講演を行いました。
2020.4.9 修士課程2年の岡本 駿吾さんの論文がApplied Physics Letters誌のEditor’s Pick（注目論文）に選ばれました。
2019.12.21 「さくらサイエンスプラン」でミャンマーのヤンゴン工科大学・マンダレー工科大学から15名の学生と2名の教員が1週間滞在しました。
2019.7.6 修士課程1年の相原 望さんが第3回フォノンエンジニアリング研究会ポスター奨励賞第1位を受賞しました。